logo
Sichuan Qixing Electronics Co., Ltd.
Дом > продукты > Резистор RF >
1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений
  • 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений

1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений

Место происхождения Сычуань, Китай
Фирменное наименование Bonens
Номер модели RIG Высокое сопротивление мощности
Детали продукта
Сопротивление:
1~500 Ом
Устойчивость к сопротивлению:
± 5%
технология:
Углеродная пленка
Тип упаковки:
Поверхностный монтаж
Власть:
1~1000 Вт
Диапазон частот:
0 ~ 2 ГГц
Соотношение стоячей волны:
1,2~1,3
Сопротивление изоляции:
≥ 1 ГОм
Выдерживать напряжение:
500 В/1 мм
Номинальная мощность:
800 Вт (70°С)
Температурный диапазон:
-55°C~+165°C
TCR:
≤±200 миллионных долей/°C
Терминальная прочность:
10Н, 5С
Припаяность:
240℃, 3 с.
Температурный шок:
ΔR≤±5%R
Выделить: 

1000 Вт радиочастотный резистор

,

Резистор фланца 50 Ом

,

Резистор поверхностного монтажа

Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа
100
Характер продукции
Серия высокомощных SMD RF резисторов

2W SMD RIG 100 50 Ом высокомощный резистор переменный резистор чип резистор с номинальной мощностью от 50 до 1000 Вт

1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 0
Ключевые особенности
  • Небольшие размеры с высокой мощностью обработки
  • Стабильная и надежная производительность
  • Легкая установка и интеграция
  • Широкий диапазон номинальной мощности
Физические характеристики
  • Терминальная прочность (10N, 5S):Не отпускай и не падай.
  • Сплавляемость (240°C, 3 с):Площадь покрытия оловянного слоя 95%
1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 1 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 2 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 3 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 4 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 5
Электрические характеристики
  • Диапазон номинального сопротивления:1Ω-500Ω
  • Толерантность сопротивления:± 5%
  • Диапазон частот:0-2 ГГц
  • Соотношение стоячей волны:1.2-1.3
  • Сопротивление изоляции:≥ 1GΩ
  • Выдерживать напряжение:500В/1 мм (толщина подложки)
1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 6
Характеристики окружающей среды
Параметр Спецификация
Номинальная мощность 1-1200 Вт (70°С)
Температурный диапазон от -55°C до +165°C
TCR ≤±200ppm/°C
Температурный шок (-55°C/+125°C, 3 раза) ΔR≤±5%R
Устойчивость к влаге (GJB306A-96-Метод 106) ΔR≤±5%R
Вибрация (10-500 Гц, 0,75 мм, 6 ч) ΔR≤±3%R, никаких механических повреждений
Испытание при низкой температуре (-55°C, 24 часа) ΔR≤±5%R
Продолжительность работы (96) ΔR≤±5%
Столкновение ΔR≤±3%R
Оригинальная структура и технические параметры
1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 7 1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 8
Полные технические спецификации
Категория Параметр Стоимость
Электрические характеристики Диапазон номинального сопротивления 1Ω-500Ω
Толерантность сопротивления ± 5%
Диапазон частот 0-1 ГГц
Соотношение стоячей волны 1.2-1.3
Сопротивление изоляции ≥ 1GΩ
Выдерживать напряжение 500В/1 мм (толщина подложки)
Характеристики окружающей среды Номинальная мощность 800 Вт (70°С)
Температурный диапазон от -55°C до +165°C
TCR ≤±200ppm/°C
Температурный шок (-55°C/+125°C, 3 раза) ΔR≤±5%R
Устойчивость к влаге (GJB306A-96-Метод 106) ΔR≤±5%R
Вибрация (10-500 Гц, 0,75 мм, 6 ч) ΔR≤±3%R, никаких механических повреждений
Испытание при низкой температуре (-55°C, 24 часа) ΔR≤±5%R
Продолжительность работы (96) ΔR≤±5%
Столкновение ΔR≤±3%R
Физические характеристики Терминальная прочность (10N, 5S) Не отпускай и не падай.
Сплавляемость (240°C, 3 с) Площадь покрытия оловянного слоя 95%
1000 Вт 50 Ом радиочастотный резистор с поверхностным резистором для высокомощных приложений 9
Применение продукции

Серия высокомощных радиочастотных резисторов BONENS включает 1000W, 2000W, 800W, 500W, 250W, 100W, 60W, 40W,Резистор фланца мощностью 30 Вт в конфигурациях 50 и 100 Омм.

Рекомендуемые товары

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

+8618382126946
Второй этаж, здание 2, 388 проспект Ронгтай Чэнду Сичуань Китай
Отправьте ваше дознание сразу в нас